无桥Pfc，可以省去一个工频整流二极管，如用Mos替代整流，可大大提高效率，一般大功率的要做到0.99的效率1双boost，开关节点噪声大，需要钳制位电容或者钳位二极管2常用的H桥，可以用硅半导体做连续大电流3或者用图腾住，用第三代半导体GaN做Ccm控制，减少管子反向恢复损耗4用多cell和低压MOs的串并联实现无桥PFC是现在国内教授研究重。

那要看你的主板是什么牌子的，每个品牌的主板签的供应商都不一样，各家品牌的主板都有各自的喜好。我随意列举一些，完全说完是不可能的，主板的牌子太多了，而且不同的时期签约的供应商也会不同。华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS，有时也用ONsemi。

低端板子也是NIKOsemi的天下。intel的主板多数时候用ONsemi，infineon都用过，最近的P67突然启用民用消费类市场很少见的大牌子，Vishay。华擎则从P45开始就签了很少见的意法半导体。总结来说，除了华硕比较另类签下了NXP，其它牌子用的多的都是ONsemi，常见型号例如NTMFS4935/4845/4841，NTD4805/4809/4959。

通常耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。还真没听过耐低压这一说法是不是你搞错了应该是低饱和压降吧也就是低导通电阻吧。耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

两个的区别就是:耐高压的比耐低压的反应速度慢些而已。应该是的吧，400V是220V整流之後大致的电压，有区别呀。场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化，FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。