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SiC肖特基二极管和硅超快恢复二极管的性能比较。在过去的二十年里,硬开关绝缘栅双极晶体管IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET与硅Si技术制成的自由旋转二极管集成在电力驱动和可再生能源发电系统的功率转换器中普遍使用。由于较高的导通损耗,MOSFET主要被选择用于高频高达数百。

在低频电路中用高频的快恢复二极管可以使用。只要耐压和电流足够大就行!我维修的进口的几千瓦电源,功率小的用桥堆。功率更大的用4个快速恢复二极管30A,600V的!

电子工程师分享肖特基和快恢复二极管的区别。

基本都是带阻行管电源开关管,彩电解码Ic及常用Ic,快恢复二极管小电流圆形桥堆和延迟性3.15电源保险丝等以及低频小功率管。

用4007管也可以,比快恢复二极管能减小尖峰电压和振铃。在很多要过EMI测试的场合反而要用4007。

二极管在电子线路中起到钳位,隔离,整流,快恢复二极管FR一207。肖持基势垒二极。开关二极管。变容二极管2CC44。微波炉高压整流二极。光敏二极管2CC12光照导通。高压硅堆2万六千伏cRT阳极整流二极管行输出变压器。微波二极管铅封。隧道二极管。阻尼二极管。续流二极管。开关二极管等等。

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二极管用于检波,整流,嵌位,隔离,开关,尖峰吸收,微波高压,变容,鉴相,鉴频等各种埸面。二极管分大小,耐压,开关速度,正向压降,恢复时间,以开关管1N4148。正向导通0点65伏,最大允许电流100mA。反向耐压400伏,快恢复二极管。FR一207,正向O点4伏导通。反向耐压1000伏,快恢复时间。